PHS-memory 8GB Mémoire RAM pour Samsung ATIV Book 4 (NP450R5E) DDR3 SO DIMM 1600MHz
Samsung ATIV Book 4 NP450R5E, 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le Samsung ATIV Book 4 (NP450R5E) et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1600 MHz, cette RAM DDR3 SO DIMM améliore les performances du système et permet un multitâche fluide. La compatibilité avec le Samsung ATIV Book 4 garantit une installation facile et une intégration transparente dans les systèmes existants. Cette mémoire est idéale pour les utilisateurs souhaitant optimiser leurs appareils pour des applications plus exigeantes ou améliorer la vitesse globale. L'utilisation de puces LPDDR3 et le respect des spécifications assurent une grande efficacité et stabilité en fonctionnement. Cette RAM est un excellent choix pour tous ceux qui souhaitent augmenter les performances de leur Samsung ATIV Book 4.
- Compatible avec le Samsung ATIV Book 4 (NP450R5E)
- Fréquence de mémoire de 1600 MHz pour des performances améliorées
- Puces LPDDR3 pour une haute efficacité et stabilité
- Installation facile grâce au format SO-DIMM.
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Modèle compatible | Samsung ATIV Book 4 NP450R5E |
Marque compatible | Samsung |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Numéro d'article | 14291722 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP193673 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung ATIV Book 4 NP450R5E |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204x |
Tension électrique | 1.50 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |