PHS-memory 8GB de mémoire RAM pour ASRock E3C224-4L DDR3 UDIMM 1600MHz
ASRock Rack E3C224-4L, 1 x 8GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 8 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour l'ASRock Rack E3C224-4L et offre une solution fiable et performante pour les applications de serveurs et de stations de travail. Avec une capacité de stockage de 8 Go et une fréquence d'horloge de 1600 MHz, cette mémoire DDR3 UDIMM garantit un traitement efficace des données et une performance système améliorée. La RAM non tamponnée est équipée de 240 broches et fonctionne à une tension de 1,5 Volt, ce qui en fait un choix économe en énergie pour des applications exigeantes. La compatibilité avec l'ASRock Rack E3C224-4L assure aux utilisateurs une intégration sans faille dans leurs systèmes, tandis que l'utilisation de puces LPDDR3 offre une stabilité et une fiabilité accrues. Cette mémoire RAM est un excellent choix pour tous ceux qui souhaitent optimiser les performances de leur serveur ou de leur station de travail.
- 100 % compatible avec l'ASRock Rack E3C224-4L
- Capacité de stockage de 8 Go pour des performances améliorées
- Fréquence d'horloge de 1600 MHz pour un traitement rapide des données
- RAM non tamponnée pour une meilleure stabilité et fiabilité.
Marque compatible | AsRock |
Modèle compatible | ASRock Rack E3C224-4L |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Numéro d'article | 14246770 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP243239 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Liens externes |
Marque compatible | AsRock |
Modèle compatible | ASRock Rack E3C224-4L |
Configuration de la mémoire | 1 x 8GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1600 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 8 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | DIMM |
Nombre de broches | 240 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.50 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |