PHS-memory 4Go de mémoire RAM pour le Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) DDR3 SO DIMM 1333MHz
Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024), 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1333 MHz et un format DDR3 SO-DIMM, cette RAM est idéale pour répondre aux exigences des applications modernes. La configuration à 204 broches garantit une installation facile et une compatibilité avec le modèle d'ordinateur portable correspondant. La mémoire vive est conçue pour améliorer les performances du système et permettre une utilisation fluide, que ce soit pour des tâches quotidiennes ou des applications plus exigeantes. L'utilisation de puces LPDDR3 permet une gestion efficace de l'énergie et contribue à la stabilité du système. Cette RAM est un choix idéal pour tous ceux qui souhaitent améliorer les performances de leur ordinateur portable Packard Bell EasyNote.
- 100 % compatible avec Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024)
- Fréquence de mémoire de 1333 MHz pour des performances améliorées
- Puces LPDDR3 écoénergétiques pour une utilisation stable
- Installation facile grâce au format SO-DIMM à 204 broches.
Marque compatible | Packard Bell |
Modèle compatible | Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Numéro d'article | 22390721 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP139869 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Packard Bell |
Modèle compatible | Packard Bell EasyNote TSX66-HR-291GE (LX.BUW02.024) |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | LPDDR3 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Tension électrique | 1.50 V |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |