PHS-memory 4 Go de mémoire vive pour Fujitsu ESPRIMO Q900 DDR3 SO DIMM 1333MHz
Fujitsu Esprimo Q900, 1 x 4GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 4 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le Fujitsu ESPRIMO Q900 et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 1333 MHz, ce RAM DDR3 SO-DIMM améliore les performances du système et permet une exécution fluide des applications. La compatibilité à 100 % avec le Fujitsu ESPRIMO Q900 garantit une installation et une utilisation simples. Ce RAM est idéal pour les utilisateurs souhaitant augmenter les performances de leur système, que ce soit pour des applications bureautiques, multimédia ou d'autres tâches exigeantes. L'utilisation de puces LPDDR3 permet une gestion efficace de l'énergie et contribue à la stabilité du système. Avec une capacité de 4 Go, ce RAM est un excellent choix pour tous ceux qui recherchent une solution économique pour améliorer les performances de leur système.
- 100 % compatible avec le Fujitsu ESPRIMO Q900
- Fréquence de mémoire de 1333 MHz pour des performances améliorées
- Puces LPDDR3 écoénergétiques pour une utilisation stable
- Installation facile grâce au format SO-DIMM.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Modèle compatible | Fujitsu Esprimo Q900 |
Marque compatible | Fujitsu |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Numéro d'article | 14225613 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP124042 |
Date de sortie | 13/11/2020 |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Fujitsu |
Modèle compatible | Fujitsu Esprimo Q900 |
Configuration de la mémoire | 1 x 4GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | RAM DDR3 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 1333 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 4 Go |
Puce mémoire vive | DDR3L-1066 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 204 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.50 V |
Pays d'origine | Royaume-Uni |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |