PHS-memory 2Go de mémoire RAM pour Sony VAIO VGN-FZ21M DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Sony VAIO VGN-FZ21M, 1 x 2GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 2 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Sony VAIO VGN-FZ21M et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une capacité de stockage de 2 Go et une fréquence d'horloge de 667 MHz (PC2-5300S), cette mémoire DDR2 SO-DIMM est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur ordinateur portable. La compatibilité avec le Sony VAIO VGN-FZ21M garantit une installation facile et un fonctionnement optimal. La RAM est équipée de 200 broches et fonctionne à une tension de 1,8 Volt, ce qui en fait un choix économe en énergie pour votre appareil. Ce module de mémoire est une excellente solution pour tous ceux qui souhaitent améliorer les capacités multitâches de leur ordinateur portable.
- 100 % compatible avec Sony VAIO VGN-FZ21M
- Tension économe en énergie de 1,8 Volt
- Performance optimale avec une fréquence d'horloge de 667 MHz.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
RAM pour modèle | Sony VAIO VGN-FZ21M |
Marque compatible | Sony |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Numéro d'article | 22395803 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP104510 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Sony |
RAM pour modèle | Sony VAIO VGN-FZ21M |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.80 V |
Pays d'origine | Royaume-Uni |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |