PHS-memory 2Go de mémoire RAM pour Sony VAIO VGC-LT1M DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Sony VAIO VGC-LT1M, 1 x 2GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 2 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Sony VAIO VGC-LT1M et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une capacité de stockage de 2 Go et une fréquence d'horloge de 667 MHz (PC2-5300S), cette mémoire DDR2 SO-DIMM est idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur appareil. La compatibilité avec le Sony VAIO VGC-LT1M garantit une installation facile et une intégration transparente dans les systèmes existants. La RAM est équipée de 200 broches et fonctionne à une tension de 1,8 Volt, ce qui en fait un choix économe en énergie pour votre appareil. Ce module de mémoire est une excellente option pour tous ceux qui souhaitent améliorer les performances de leur ordinateur portable, que ce soit pour des applications quotidiennes ou des tâches plus exigeantes.
- 100% compatible avec Sony VAIO VGC-LT1M
- Capacité de stockage de 2 Go pour des performances améliorées
- Fréquence d'horloge de 667 MHz pour un traitement rapide des données
- Économe en énergie avec une tension de fonctionnement de 1,8 Volt.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Modèle compatible | Sony VAIO VGC-LT1M |
Marque compatible | Sony |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Numéro d'article | 22395845 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP101206 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Sony |
Modèle compatible | Sony VAIO VGC-LT1M |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Puce mémoire vive | DDR2-667 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.80 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |