PHS-memory 2Go de mémoire RAM pour Samsung série NP-R55 DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Samsung série NP-R55, 1 x 2GBLivré entre 8/1/2026 et 13/1/2026
Plus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Plus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Livraison gratuite à partir de 50.–
Informations sur le produit
La mémoire PHS de 2 Go de RAM est spécialement conçue pour la série Samsung NP-R55 et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 667 MHz et un format DDR2 SO-DIMM, cette RAM est parfaitement adaptée aux exigences de la série NP-R55. La capacité de 2 Go par module permet une meilleure capacité multitâche et un traitement des données plus rapide, ce qui améliore les performances globales du système. La compatibilité avec la série Samsung NP-R55 garantit une installation et une utilisation faciles, permettant aux utilisateurs de bénéficier d'une intégration sans faille. Cette RAM est un choix idéal pour tous ceux qui souhaitent optimiser les performances de leur ordinateur portable.
- 100 % compatible avec la série Samsung NP-R55
- Fréquence de mémoire de 667 MHz pour des performances améliorées
- Type de RAM DDR2 pour un traitement des données efficace
- Installation facile grâce au format SO-DIMM.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Modèle compatible | Samsung série NP-R55 |
Marque compatible | Samsung |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Numéro d'article | 14267397 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP103937 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung série NP-R55 |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Puce mémoire vive | DDR2-667 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.80 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |
Les spécifications peuvent inclure des traductions automatiques non vérifiées.
Droit de retour de 30 jours
5 an(s) Garantie (Bring-in)
1 offre supplémentaire