PHS-memory 2Go de mémoire RAM pour Samsung NP-Q45AV02 DDR2 SO DIMM 667MHz PC2-5300S
Samsung NP-Q45-AV02, 1 x 2GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 2 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le modèle Samsung NP-Q45AV02 et offre une extension de mémoire vive fiable et performante. Avec une capacité de stockage de 2 Go et une fréquence d'horloge de 667 MHz (PC2-5300S), cette RAM DDR2 SO-DIMM est une solution idéale pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur appareil. La compatibilité à 100 % avec le Samsung NP-Q45AV02 garantit une installation facile et un fonctionnement sans accroc. La RAM est équipée de 200 broches et fonctionne à une tension de 1,8 Volt, ce qui en fait un choix économe en énergie pour diverses applications. Que ce soit pour des tâches quotidiennes ou des applications plus exigeantes, cette mémoire RAM offre le soutien nécessaire pour optimiser les performances du système.
- 100 % compatible avec Samsung NP-Q45AV02
- Capacité de stockage de 2 Go pour des performances améliorées
- Fréquence d'horloge de 667 MHz pour un traitement rapide des données
- Économe en énergie avec une tension de fonctionnement de 1,8 Volt.
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Modèle compatible | Samsung NP-Q45-AV02 |
Marque compatible | Samsung |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Numéro d'article | 14265971 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP111559 |
Date de sortie | 14/11/2020 |
Couleur de LED | sans LED |
Marque compatible | Samsung |
Modèle compatible | Samsung NP-Q45-AV02 |
Configuration de la mémoire | 1 x 2GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Ordinateur portable |
Type de mémoire vive | DDR2-RAM |
Fréquence de l'horloge de stockage | 667 MHz |
Nombre de modules de mémoire (RAM) | 1 x |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 2 Go |
Puce mémoire vive | DDR2-667 |
Facteur de forme mémoire vive | SO-DIMM |
Nombre de broches | 200 x |
Mémoire tampon RAM | non tamponné |
Tension électrique | 1.80 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |