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PHS-memory 16 Go de mémoire RAM pour Lenovo ThinkStation P910 (30B9) DDR4 RDIMM 2400MHz

Lenovo ThinkStation P910 (30B9), 1 x 16GB
avant CHF129.–
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Informations sur le produit

La mémoire RAM de 16 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour la Lenovo ThinkStation P910 (30B9) et offre une extension fiable et performante pour votre station de travail. Avec une fréquence de mémoire de 2400 MHz et la technologie DDR4-RAM, cette mémoire garantit un taux de transfert de données élevé et une efficacité énergétique améliorée. La RAM est conçue en tant que Registered DIMM (RDIMM), ce qui permet une performance stable lors d'applications exigeantes. La compatibilité avec le processeur Xeon E5-2600 v4 vous permet de tirer parti des avantages de la dernière architecture de processeur. Lors de l'installation, il est important de prendre en compte la technologie de mémoire existante pour garantir des performances optimales. Cette mémoire RAM est un excellent choix pour tous ceux qui souhaitent mettre à niveau leur Lenovo ThinkStation P910 afin d'améliorer la performance et l'efficacité de leurs systèmes.

  • Compatible avec Lenovo ThinkStation P910 (30B9)
  • RAM DDR4 avec une fréquence de 2400 MHz
  • Registered DIMM (RDIMM) pour une stabilité améliorée
  • Optimisé pour les systèmes avec processeur Xeon E5-2600 v4
  • RAM protégée par ECC pour une sécurité des données accrue.

Spécifications principales

Marque compatible
Lenovo
Modèle compatible
Lenovo ThinkStation P910 (30B9)
Configuration de la mémoire
1 x 16GB
Type de mémoire vive
RAM DDR4
Fréquence de l'horloge de stockage
2666 MHz
Mémoire tampon RAM
ECC Enregistré
Numéro d'article
22374350

Informations générales

Fabricant
PHS-memory
Catégorie
RAM spécifique au système
Réf. du fabricant
SP230016
Date de sortie
19/4/2021

Mémoire vive

Marque compatible
Lenovo
Modèle compatible
Lenovo ThinkStation P910 (30B9)
Configuration de la mémoire
1 x 16GB
Type de mémoire vive
RAM DDR4
Fréquence de l'horloge de stockage
2666 MHz
Capacité de mémoire (RAM) par module
16 Go
Puce mémoire vive
DDR4
Facteur de forme mémoire vive
R-DIMM
Nombre de broches
288 x
Mémoire tampon RAM
ECC Enregistré

Alimentation

Tension électrique
1.20 V

Provenance

Pays d'origine
Vietnam

Contribution climatique volontaire

CO₂-Emission
Contribution climatique

Droit de retour de 30 jours
5 an(s) Garantie (Bring-in)

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Convient

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