PHS-memory 16 Go de mémoire RAM pour Lenovo ThinkServer RS160 (70TG) DDR4 UDIMM ECC 2133MHz
Lenovo ThinkServer RS160 (70TG), 1 x 16GBPlus de 10 pièces en stock chez le fournisseur
Informations sur le produit
La mémoire RAM de 16 Go de PHS-memory est spécialement conçue pour le Lenovo ThinkServer RS160 (70TG) et offre une extension de mémoire fiable et performante. Avec une fréquence de mémoire de 2133 MHz et la technologie DDR4, cette RAM garantit un traitement des données amélioré et une stabilité système accrue. Le facteur de forme U-DIMM et la fonctionnalité ECC (Code de Correction d'Erreur) assurent la détection et la correction des erreurs de données, ce qui est particulièrement important dans les applications critiques pour les entreprises. La compatibilité avec différents modèles du ThinkServer RS160 fait de cette RAM un choix flexible pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur serveur. Avec une tension de seulement 1,2 Volt, cette mémoire est également économe en énergie et contribue à réduire la consommation d'énergie globale.
- Compatible avec Lenovo ThinkServer RS160 (70TG)
- ECC enregistré pour une sécurité des données améliorée
- Facteur de forme U-DIMM pour une installation facile
- Économe en énergie avec une tension de fonctionnement de 1,2 Volt.
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Modèle compatible | Lenovo ThinkServer RS160 (70TG) |
Marque compatible | Lenovo |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2133 MHz |
Numéro d'article | 22374200 |
Fabricant | PHS-memory |
Catégorie | RAM spécifique au système |
Réf. du fabricant | SP244016 |
Date de sortie | 19/4/2021 |
Marque compatible | Lenovo |
Modèle compatible | Lenovo ThinkServer RS160 (70TG) |
Configuration de la mémoire | 1 x 16GB |
Domaine d'utilisation du matériel | Serveur / Station de travail |
Type de mémoire vive | RAM DDR4 |
Fréquence de l'horloge de stockage | 2133 MHz |
Capacité de mémoire (RAM) par module | 16 Go |
Puce mémoire vive | DDR4 |
Facteur de forme mémoire vive | U-DIMM |
Nombre de broches | 288x |
Mémoire tampon RAM | ECC Enregistré |
Tension électrique | 1.20 V |
Pays d'origine | Chine |
CO₂-Emission | |
Contribution climatique |