Name: Module de mémoire DDR4 SODIMM de 8 Go
Brand: Dell
SKU: 52256161
Price: 180 CHF
Availability: InStock

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Dell

Le module de mémoire Dell 8 Go DDR4 SODIMM, modèle JV263, est conçu pour la mise à niveau des ordinateurs portables et des systèmes informatiques compacts. Ce module de mémoire fonctionne à des vitesses DDR4 standard dans un format SODIMM à 260 broches, mesurant environ 67,6 mm de long et 30 mm de haut. Sa capacité de 8 Go offre une augmentation significative de la mémoire pour améliorer les capacités multitâches et la réactivité du système. Construit avec des composants de haute qualité, cette mémoire DDR4 offre des performances fiables avec une faible consommation d'énergie, avec une tension de fonctionnement de 1,2 V. Le module dispose de fonctions de correction d'erreurs et est compatible avec les systèmes nécessitant de la mémoire DDR4 SODIMM. L'installation est simple grâce au système d'alignement standard qui empêche une mauvaise insertion. Cette option de mise à niveau de la mémoire convient aux ordinateurs portables professionnels, aux systèmes de jeu et aux ordinateurs de bureau compacts prenant en charge la technologie DDR4. Le module subit des tests rigoureux pour garantir la compatibilité et la stabilité dans divers environnements informatiques. La gestion thermique est réalisée grâce à un design de puce efficace, qui ne nécessite généralement pas de solutions de refroidissement supplémentaires dans la plupart des applications. Les spécifications de timing de la mémoire respectent les normes industrielles pour des performances optimales dans les systèmes pris en charge. Cette solution de mise à niveau contribue à prolonger la durée de vie des appareils compatibles en fournissant des ressources mémoire supplémentaires pour les applications modernes et les systèmes d'exploitation.

Image du produit Dell Module de mémoire DDR4 SODIMM de 8 Go (1 x 8GB, RAM DDR4, SO-DIMM)

Spécifications principales

Configuration de la mémoire

Type de mémoire vive

Mémoire tampon RAM

Technologies et mécanismes en mémoire qui améliorent la stabilité et la fiabilité en réduisant les charges électriques ou en assurant l'intégrité des données par la correction des erreurs.

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