Leistungsanalyse verschiedener CMOS-basierterDRAM-Zellen-Strukturen

Dynamische Random Access Memories (DRAMs) sind aufgrund ihrer geringen Kosten und schnellen Arbeitsgeschwindigkeit in allen Arten von elektronischen Geräten weit verbreitet. Neben den umfangreichen Anwendungen markiert die Massenproduktion von DRAMs in der Regel die Reife der entsprechenden Halbleitertechnologie, die durch Marktanforderungen und Wettbewerb kontinuierlich zu kleineren Abmessungen und hoher Ausbeute getrieben wird. Generell wird die Massenproduktion einer neuen DRAM-Generation meist als Meilenstein einer neuen Ära der Halbleitertechnologie angesehen. Wie der Begriff 'DRAM' schon andeutet, handelt es sich um eine Art flüchtigen Speicher, d.h. die gespeicherten Daten müssen 'dynamisch' aufgefrischt werden, um eine korrekte Speicherfunktion zu gewährleisten; auf jedes Bit im DRAM kann im Vergleich zu einem herkömmlichen Tonbandgerät 'zufällig' zugegriffen werden.