Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs

"Fundamentals of III-V Semiconductor MOSFETs" bietet eine umfassende Einführung in die Grundlagen und den aktuellen Stand der Forschung zu metall-oxid-halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) aus III-V-Halbleitern. Diese Transistoren werden als potenzielle Nachfolger von Silizium in digitalen Schaltungen betrachtet. Das Buch behandelt die spezifischen Eigenschaften von III-V-Halbleitern und die Technologien, die sie für die MOSFET-Technologie attraktiv machen, einschliesslich band-engineerter Heterostrukturen und nanoskaliger Kontrolle während des epitaxialen Wachstums. Ein zentrales Thema ist die Herausforderung, ein qualitativ hochwertiges, thermodynamisch stabiles Gate-Dielektrikum zu entwickeln, das die Grenzflächenzustände passiviert, ähnlich wie SiO2 bei Silizium. Das Werk bietet detaillierte Einblicke in die Materialwissenschaft und das elektronische Verhalten verschiedener Dielektrika sowie in die Physik der hergestellten Geräte und die Technologien zur MOSFET-Herstellung. Es werden auch aktuelle Fortschritte und Herausforderungen in der Integration verschiedener Halbleitermaterialien auf Siliziumplattformen behandelt.