Application of Pelletron Accelerator to Study Total Dose Radiation

Das Fachbuch "Application of Pelletron Accelerator to Study Total Dose Radiation" bietet eine umfassende Analyse der Auswirkungen von ionisierender Strahlung auf metalloxid-halbleitende (MOS) und bipolare Bauelemente. Es wird untersucht, wie diese Strahlung zu einer Beeinträchtigung der elektrischen Eigenschaften der Geräte führt, indem sie Oberflächen- und Oxidladungen sowie Punktdefekte erzeugt. Um die Einsatzfähigkeit dieser Bauelemente in strahlungsreichen Umgebungen, wie im Weltraum, zu gewährleisten, ist es entscheidend, die verschiedenen Strahlungseffekte zu verstehen. Das Buch dokumentiert Experimente, bei denen N-Kanal-Depletion-MOSFETs und Silizium-NPN-Transistoren mit schweren Ionen bestrahlt wurden, und vergleicht die Ergebnisse mit Gamma-Bestrahlung. Die detaillierte Analyse der I-V-Eigenschaften der Bauelemente wird durch den Einsatz moderner Messtechnik unterstützt.