Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Das Buch "Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor" bietet eine umfassende Analyse der Auswirkungen der Durchbruchspannung (BV) auf transistorbasierte Graphenstrukturen. Es behandelt analytische Ansätze und Modelle, die sich auf die Eigenschaften von Graphen-Nanoribbon-Feldeffekttransistoren (GNRFETs) konzentrieren. Die Autoren präsentieren semi-analytische Modelle, die verschiedene Aspekte wie das laterale elektrische Feld, die Länge der Geschwindigkeits-Sättigungsregion (LVSR) und den Ionisationskoeffizienten untersuchen. Durch die Anwendung des Gauss'schen Gesetzes in den Drain- und Source-Regionen werden Gleichungen für das Oberflächenpotential und das laterale elektrische Feld abgeleitet. Die Arbeit bietet wertvolle Einblicke in die Optimierung von Halbleiterbauelementen und Sensoren, indem sie die BV unter verschiedenen Bedingungen analysiert. Die Ergebnisse zeigen, dass die Betriebsspannung von FETs auf bis zu 0,25 V gesenkt werden kann, um einen Durchbruch zu vermeiden, und nach Optimierung auf bis zu 1,5 V erhöht werden kann.