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Ti-Based Schottky Contacts to n-InP: Electronic Device Applications

Art-Nr 8725840
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Beschreibung

In recent years, group III-V semiconductors have drawn considerable attention because they are technologically important as their electronic properties can be varied easily with different dopants. It also has a higher mobility, with a high peak-to-valley ratio in the velocity electric-field characteristics. These qualities are essential for high-speed microwave field-effect transistors, transferred electron oscillators and high-speed logics. The energy gap of InP is close to the optimum value for efficient conversion of solar radiation into electric power by single-junction photo voltaic cells. Metal-semiconductor (MS) structures play an important role in the device based on the III-V compound semiconductors in the form of Schottky barrier diodes (or) ohmic contacts. The fabrication of reliable and well-controlled electrical contacts is the key to the successful operation of almost all s.mehr

Spezifikationen

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Allgemeine Informationen

Verlag LAP Lambert Academic Publishing
Produkttyp Diverse Sachbücher (EN)
Artikelnummer8725840
Release-Datum02.05.2018

Produktinformationen

Author Varra Rajagopal Reddy, D Subba Reddy
Year 2018
Pages 148
Medium Fachbuch
Isbn 978-613-9-81492-3
Product Eng
Subtitle Englisch

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